PICOSUN® R-200 高級 ALD 系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如 IC 組件、MEMS 設(shè)備、顯示器、LED、激光器和 3D 物體（如鏡片、光學(xué)器件、珠寶、硬幣和醫(yī)療植入物）。
技術(shù)特點
圖標(biāo)-1-3
典型的基板尺寸和類型
50-200 mm 單晶片
156 mm x 156 mm 太陽能硅晶片
3D 對象
粉末和顆粒
小批量
多孔、通孔和高縱橫比（高達(dá) 1:2500）
加工溫度和容量
50 – 500°C，等離子 450°C（650°C，可根據(jù)要求提供加熱卡盤）
典型工藝
Al 2 O 3、TiO 2、SiO 2、Ta 2 O 5、HfO 2、ZnO、ZrO 2、AlN、TiN、Pt或Ir等金屬
圖標(biāo)產(chǎn)品起重機(jī)鉤
基板裝載
使用氣動升降機(jī)手動裝載
帶磁性機(jī)械臂的負(fù)載鎖
帶搬運機(jī)器人的半自動裝載
使用集群工具進(jìn)行磁帶到磁帶的加載
前體
液體、固體、氣體、臭氧、等離子(*)
多達(dá) 12 個源，帶 6 個獨立入口（如果選擇等離子選項，則為 7 個）
圖標(biāo)產(chǎn)品齒輪
選項
集群工具、Picoflow™ 擴(kuò)散增強(qiáng)器、卷對卷室、RGA、UHV 兼容性、N2 發(fā)生器、氣體洗滌器、定制設(shè)計、用于惰性裝載的手套箱集成
PICOSUN® R-200 高級 ALD 系統(tǒng)是高級 ALD 研究工具的全球市場領(lǐng)導(dǎo)者，擁有數(shù)百個客戶安裝。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動的公司和研究機(jī)構(gòu)的首選工具。
靈活的設(shè)計可實現(xiàn)很高質(zhì)量的 ALD 薄膜沉積以及很終的系統(tǒng)靈活性，以適應(yīng)未來的需求和應(yīng)用。獲得 的熱壁設(shè)計具有完全獨立的入口和儀器，可實現(xiàn)無顆粒處理，適用于晶圓、3D 物體和所有納米級特征上的各種材料。得益于我們專有的 Picoflow™ 技術(shù)，即使在很具挑戰(zhàn)性的通孔、超高縱橫比和納米顆粒樣品上也能實現(xiàn)出色的均勻性。PICOSUN® R-200 Advanced 系統(tǒng)配備功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)、氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)品前體源。高效且獲得 的遠(yuǎn)程等離子選項可在沒有短路或等離子損壞風(fēng)險的情況下沉積金屬。與手套箱、特高壓系統(tǒng)、
(*) 等離子發(fā)生器技術(shù)特點：
遠(yuǎn)程等離子源安裝到裝載室并連接到反應(yīng)室
藍(lán)寶石涂抹器適用于不同的化學(xué)物質(zhì)，具有卓越的粒子性能
商用微波等離子體發(fā)生器，功率可調(diào) 300 – 3000 W，頻率 2.45 GHz
中間空間中的保護(hù)氣體流動（等離子體物質(zhì)無反向擴(kuò)散）
在同一沉積運行期間進(jìn)行等離子體和熱 ALD 循環(huán)的可能性，無需對系統(tǒng)進(jìn)行硬件更改
以下相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)用于評估電源的合規(guī)性：DIN EN ISO 12100:2011-03、DIN EN 60204-1:2007-06、DIN EN 61000-6-2:2006-03、DIN EN 61000-6 -4:2011-09
電源的開發(fā)和制造符合 SEMI S2-0310 中規(guī)定的要求
1年免費保修服務(wù) 
售后1天內(nèi)解決 
長期跟蹤質(zhì)量服務(wù) 
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