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JELIGHT UVO-Cleaner Model 42 紫外臭氧清洗機簡介UV+O(原子氧)清潔法是一種光敏氧化過程，其中光抗蝕劑、樹脂、人體皮膚油、清潔溶劑殘留物、硅油和助熔劑的污染物分子通過短波紫外線輻射的吸收被激發(fā)和/或解離。分子氧經(jīng)184.9nm分解，臭氧經(jīng)253.7nm分解，同時生成原子氧。253.7nm輻射被大多數(shù)碳氫化合物和臭氧吸收。污染物分子的這種激發(fā)產(chǎn)物與氧原子反應，形成更簡單的揮發(fā)性分子，從表面解吸。因此，當兩種波長同時存在時，原子氧不斷產(chǎn)生，臭氧不斷形成和破壞。通過將適當?shù)念A清潔樣品放置在臭氧產(chǎn)生UV源的5毫米范圍內(nèi)，例如UVO-Cleaner®內(nèi)部的低壓汞蒸汽網(wǎng)格燈，可以在不到一分鐘的時間內(nèi)實現(xiàn)接近原子清潔的表面。此外，該工藝不會損壞MOS柵氧化物的任何敏感器件結(jié)構(gòu)。ufo - cleaner®是去除硅，砷化鎵，石英，藍寶石，玻璃，云母，陶瓷，金屬和導電聚酰亞胺水泥中的有機污染物的安全，有效的方法。它的建造壽命長，維護成本低，服務無故障。應用程序:•在薄膜沉積/剝離和穩(wěn)定光刻膠之前清洗襯底•硅片、透鏡、反射鏡、太陽能電池板、冷軋鋼、慣性制導子組件和GaAs晶圓的清洗•焊劑、混合電路和平板LCD的清洗•蝕刻Teflon®，Viton®和其他有機材料•增強GaAs和Si的氧化鈍化表面•減少玻璃的放氣去除晶圓膠帶•提高涂料對塑料的附著力•測試后從晶圓上去除油墨•剝離光刻膠•從光刻板中去除潛在圖像•清洗光刻版•在硅片上生長氧化層•在包裝/粘合前清洗電路板•增加表面親水特性•生物科學應用的清洗和滅菌•清洗電子顯微鏡探針/載玻片或光纖/透鏡紫外清洗優(yōu)點1. 被清洗的表面除了光子，不與任何物體發(fā)生接觸，有機物經(jīng)過紫外光照射發(fā)生光敏氧化反應后，生成可揮發(fā)性氣體 （CO2、CO、H2O） 等從表面消散，隨著排風系統(tǒng)抽走。2. 表面潔凈度高，且不會像溶液清洗時發(fā)生二次污染。3. 光清洗的表面不會受到損傷，由于光子的能量相對比氬等離子體濺射或惰性氣體離子轟擊的能量小，光清洗后的表面不會受到損傷或發(fā)生晶體缺陷的現(xiàn)象。4. 光清洗對物體表面微細部位（如孔穴、微細溝槽等）具有有效而徹底的清洗效果。 由于紫外光是納米短波紫外線，能夠射入材料表面的極為細微的部位，發(fā)生光敏氧化反應，充分表現(xiàn)出光清洗的徹底性。可選設(shè)備：所有裝置均配有臭氧殺滅器和鼓風機套件，無需外部排氣即可使用該裝置。臭氧殺手將解離排氣中的微量臭氧，而鼓風機將增加排氣流量。單位尺寸可根據(jù)客戶需求定制。可能需要支付額外費用。設(shè)備提供以下電源配置：120V/60Hz 220V/50Hz220V/60Hz100V 50/60Hz**臭氧濃度以及樣品與紫外線源之間的距離會極大地影響清潔速率。
Outer DimensionsLength Width Height Exhaust Port Media Inlet Port (2x)350 mm 220 mm 225 mm 50.8 mm 9.5 mm
Tray DimensionsWidth Length Height (Adjustment Range)165 mm 165 mm] 6 mm ~ 38 mm
Grid LampType Average Intensity Distance Measured Away From LampLow Pressure Mercury (Hg) Vapor 28 ~ 32 mW/cm² @ 253.7 nm .12” ~ .20” [3 ~ 5 mm]
Electrical CharacteristicsOutput PowerVoltage Current6000 Vpeak-peak 30 mA
Available Input Power RequirementsModel Voltage Frequency Current42 120 VAC 60 Hz 2.0 A42-220 220 VAC 50 Hz 3.0 A42-220-60 220 VAC 60 Hz 2.0 A42-100 100 VAC 50/60 Hz 2.0 A42 W/ ELAPSE TIMER 120 VAC, 220VAC 60 Hz, 50Hz 2.0 A, 3.0A
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