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| 序號 | 參數(shù) |
| 一．使用環(huán)境要求： |
1．溫度：室溫 2．相對濕度：小于60% 3．電源：50-60Hz, 220V /15A |
| 二．設(shè)備組成： |
1．更大直徑6英寸（150毫米）基片尺寸的原子層沉積系統(tǒng)，包括6路前驅(qū)體源輸運系統(tǒng) 2．電控系統(tǒng)：PLC沉積自動控制系統(tǒng) 3．操作軟件：沉積程序控制軟件 4．真空機(jī)械泵與相關(guān)管路 |
| 三．技術(shù)參數(shù)： |
1．反應(yīng)腔 316L不銹鋼。可以生長更大6 英寸樣品的腔體，氮氣保護(hù)的雙O-Ring 高溫密封系統(tǒng)，有效隔絕其他氣體滲漏。基底加熱溫度RT-400℃可控，控制精度±1℃。腔體烘烤溫度RT-200℃可控，控制精度±1℃。 反應(yīng)腔內(nèi)具有可拆卸更換擋版以方便維護(hù)。 反應(yīng)腔采用專業(yè)級噴淋淋浴式前驅(qū)體勻氣裝置設(shè)計，可是前驅(qū)體充分、均勻的擴(kuò)散，保證工藝的均勻性。 反應(yīng)腔體及真空腔體的密封蓋的上方是ICP等離子體發(fā)生腔，投標(biāo)貨物中腔體采用側(cè)面進(jìn)樣，且接口為標(biāo)準(zhǔn)法蘭，可直接配備插板閥以及手套箱。 |
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2．沉積模式 包括以下3種工作模式：高速沉積的連續(xù)模式，沉積超高寬深比結(jié)構(gòu)的停流模式，實現(xiàn)氧化物精確比例摻雜沉積的專業(yè)沉積模式。 |
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3．前驅(qū)體源輸運系統(tǒng) 共6路前驅(qū)體源，1路為常溫源，可接水和臭氧/氨氣/H2S等氣體；5路為加熱源，加熱溫度RT-200℃可控，控制精度±1℃。加熱源配備耐高溫(325°C)手動閥，以及前驅(qū)體源瓶體積50cc。 |
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4． 前驅(qū)體管路 所有前驅(qū)體管路須全部采用進(jìn)口316L不銹鋼EP級管路，所有管路加熱溫度RT-200℃可控。管路腔體清洗維護(hù)簡便，設(shè)備具有"自動清洗"的功能,用戶在沉積前與沉積完成后運行""自動清洗"程序, 清洗管路, 保護(hù)ALD閥門。可在操作界面上設(shè)置自動清洗次數(shù)。 |
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5. ALD閥 每一路前驅(qū)體配置一個原子層沉積專用高速高溫ALD閥(Swagelok進(jìn)口)，ALD閥加熱溫度RT-200℃可控。 ALD閥更小脈沖時間~10 mesh。 |
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6．載氣系統(tǒng) N2或者Ar，須配備流量計，流量控制0-500sccm |
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7．配備等離子體(ICP)系統(tǒng) 電感耦合ICP等離子體系統(tǒng)，位于腔體正上方，等離子體開關(guān)在控制界面內(nèi)設(shè)置。等離子體氣源：提供3路可用于等離子體工藝的氣路，包含ALD 專用隔膜閥，手動截止閥和質(zhì)量流量控制器。射頻電源頻率13.56 MHZ，功率0-500 W可調(diào)，功率不穩(wěn)定度小于等于2W，自動匹配調(diào)節(jié)，配備自動匹配器，匹配精度不大于5 秒。 |
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8．真空規(guī) 寬范圍真空規(guī)測量范圍10E-4Torr~10E+3Torr，備用真空規(guī)一個用于校驗真空。 |
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9．排氣管路 排氣管路加熱溫度RT-150℃可控；配置截止閥一個，加熱溫度RT-150℃可控。真空泵配置前級熱阱，更高加熱溫度可達(dá)到300℃，溫度控制精度為±1℃。 |
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10．控制硬件 采用PLC+PC控制系統(tǒng)，保證設(shè)備長時間穩(wěn)定運行；硬件控制系統(tǒng)須具備1 毫秒前驅(qū)體脈沖時間的精確分辨控制能力，每一前驅(qū)體脈沖時間所對應(yīng)的壓強(qiáng)值必須能重復(fù)在同一個水平上，保證進(jìn)入反應(yīng)腔的前驅(qū)體的量精確可控。 |
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11．控制軟件 Windows下的專用全自動控制軟件, 全自動控制加熱、流量、等全部沉積過程，以及溫度、壓強(qiáng)等實時監(jiān)控。全部沉積過程(從開始到結(jié)束，包括突發(fā)的停機(jī))的參數(shù)實時全部記錄，自動生成日志文件，都可以事后回放，每個脈沖曲線都可以顯示回放 |
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12．粉體樣品夾具 用于沉積1~1000 μm的粉體樣品, 一套4個；樣品池尺寸Ф30mmX1.5mm |
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13臭氧發(fā)生器 配備臭氧發(fā)生器(韓國進(jìn)口)、裂解器（臭氧破壞器）、控制臭氧的質(zhì)量流量控制器(量程為0-200 scams)，臭氧源系統(tǒng)集成在機(jī)柜中；臭氧發(fā)生器產(chǎn)量20 g/h，濃度更高可達(dá)100 g/m；臭氧發(fā)生器采用風(fēng)冷方式無需配備冷卻水。 |
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14．真空機(jī)械泵系統(tǒng) 采用惰性泵油的機(jī)械泵系統(tǒng)，抽速40m3/h(10L/s)，品牌Edwards |
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15. 驗收指標(biāo) 廠家須提供標(biāo)準(zhǔn)的工藝配方，在滿足第14條工藝要求的同時，按以下內(nèi)容現(xiàn)場制備與驗收： Al2O3 均勻性 ≤+/−1%； 在4-6英寸晶圓上沉積100nm，取5個不同點（上、下、左、右、中心）進(jìn)行測試，計算厚度標(biāo)準(zhǔn)偏差。 在保證以上薄膜質(zhì)量的前提下，前驅(qū)體TMA的脈沖時間不得超過 0.02秒 測量方法：橢偏儀 |
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| 四．安裝培訓(xùn)： | 廠家工程師現(xiàn)場進(jìn)行安裝與培訓(xùn)，包括操作，維護(hù)及安全使用等，確保人員熟練使用 |
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主機(jī) 數(shù)量1套 標(biāo)準(zhǔn)6英寸原子層沉積系統(tǒng) 包括： 2 路前驅(qū)體源, 包括管路、高溫ALD閥門、50ml 源瓶，1路為加熱源，1路為常溫源 沉積自動控制系統(tǒng), ALDT沉積程序控制軟件, 預(yù)裝Windows 的品牌筆記本電腦,（14英寸筆記本電腦（i7-8550U 8G 256GSSD+1T 2G獨顯 FHD） |
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| 選配前驅(qū)體源 4套：包括管路、加熱套、高溫ALD 閥門、50ml 源瓶（更高可配6路前驅(qū)體） | |
| 臭氧發(fā)生器系統(tǒng) 1套：韓國進(jìn)口高濃度臭氧發(fā)生器，包括管路，裂解器附件更高產(chǎn)量20g/h，更大濃度8%(w/w) | |
| 粉體樣品夾具1套：用于沉積1~1000 μm 的粉體樣品, 一套4個樣品池尺寸Ф30mmX1.5mm | |
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ICP等離子體系統(tǒng) 1套：ICP等離子體源系統(tǒng)； 包括： ICP源0~500W可調(diào)；自動匹配器； 等離子體發(fā)生器； 3路等離子體源, 配備質(zhì)量流量計(MFC)，一路為Ar，其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體可選 |
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| 氣路連接配件1套，氧氣/氮氣的減壓閥、管路、接頭等連接附件，用于以上氣體的使用 | |
| 備用真空規(guī) 1個：用于校準(zhǔn)和更換 | |
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真空機(jī)械泵系統(tǒng)1套：機(jī)械泵與相關(guān)管路 真空機(jī)械泵型號：E2M40-F |
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| 運輸與保險: 運到用戶指定地點 | |
| 3日現(xiàn)場安裝與培訓(xùn) | |
| 五、技術(shù)指標(biāo) |
1 反應(yīng)腔 316L不銹鋼。可以生長更大6 英寸樣品的腔體，氮氣保護(hù)的雙O-Ring 高溫密封系統(tǒng)，有效隔絕其他氣體滲漏。基底加熱溫度RT-400℃可控，控制精度±1℃。腔體烘烤溫度RT-200℃可控，控制精度±1℃。 反應(yīng)腔內(nèi)具有可拆卸更換擋版以方便維護(hù)。 反應(yīng)腔采用專業(yè)級噴淋淋浴式前驅(qū)體勻氣裝置設(shè)計，可是前驅(qū)體充分、均勻的擴(kuò)散，保證工藝的均勻性。 反應(yīng)腔體及真空腔體的密封蓋的上方是ICP等離子體發(fā)生腔，投標(biāo)貨物中腔體采用側(cè)面進(jìn)樣，且接口為標(biāo)準(zhǔn)法蘭，可直接配備插板閥以及手套箱。 |
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2 沉積模式 包括至少以下2種工作模式：高速沉積的連續(xù)模式，沉積超高寬深比結(jié)構(gòu)的停流模式，實現(xiàn)氧化物精確比例摻雜沉積的專業(yè)沉積模式。 |
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3 前驅(qū)體源：共6路前驅(qū)體源；1路為常溫源，5路為加熱源，加熱溫度RT-200℃可控，控制精度±1℃；加熱源配備高溫手動閥；標(biāo)準(zhǔn)前驅(qū)體源瓶體積50cc。 1路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S源等，制備氧化物，氮化物和硫化物。 任意一路加熱源可接相關(guān)前驅(qū)體源。0cc。 |
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4． 前驅(qū)體管路 所有前驅(qū)體管路須全部采用進(jìn)口316L不銹鋼EP級管路，所有管路加熱溫度RT-200℃可控。 |
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5 ALD閥 每一路前驅(qū)體配置一個原子層沉積專用高速高溫ALD閥(Swagelok進(jìn)口)，ALD閥加熱溫度RT-200℃可控。 ALD閥更小脈沖時間~10 mesh。 |
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6 真空規(guī) 寬范圍真 空規(guī)，測量范圍2x10-4 to 10+3 torr. |
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7 排氣管路 排氣管路加熱溫度RT-150℃可控；配置截止閥一個，加熱溫度RT-150℃可控。真空泵配置前級熱阱，更高加熱溫度可達(dá)到300℃，溫度控制精度為±1℃。 |
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8 臭氧發(fā)生器 配備臭氧發(fā)生器(韓國進(jìn)口)、臭氧破壞器、控制臭氧的質(zhì)量流量控制器(量程為0-200 scams)，臭氧源系統(tǒng)集成在機(jī)柜中；臭氧發(fā)生器產(chǎn)量20 g/h，濃度更高可達(dá)100 g/m；臭氧發(fā)生器采用風(fēng)冷方式無需配備冷卻水。 |
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7．配備等離子體(ICP)系統(tǒng) 電感耦合ICP等離子體系統(tǒng)，位于腔體正上方，等離子體開關(guān)在控制界面內(nèi)設(shè)置。等離子體氣源：提供3路可用于等離子體工藝的氣路，包含ALD 專用隔膜閥，手動截止閥和質(zhì)量流量控制器。射頻電源頻率13.56 MHZ，功率0-500 W可調(diào)，功率不穩(wěn)定度小于等于2W，自動匹配調(diào)節(jié)，配備自動匹配器，匹配精度不大于5 秒。 |
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| 10 控制硬件 PLC控制系統(tǒng)。 | |
| 11 控制軟件 ALD 專用軟件全自動控制加熱、流量、等全部沉積過程，以及溫度、壓強(qiáng)等實時監(jiān)控。 | |
| 12 真空機(jī)械泵 愛德華進(jìn)口機(jī)械泵 | |
| 13 安裝培訓(xùn) 工程師現(xiàn)場安裝培訓(xùn)。 | |
| 14 保修 3年免費保修，自驗收之日起。 |
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